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MCH6444
IDP=10A (PW ≤ 10 μ s)
10
0 μ
1
ID=2.5A
10 ms
3
ms
10
DC
0m
op
er
ati
on
(T
a=
25
0.1 ° C
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.01
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=20V
ID=2.5A
0.5 1.0
1.5
VGS -- Qg
2.0 2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100
7
5
3
2
10
7
5
2
1.0 s
7
5
3
2
5
0.01
ASO
Operation in this area
7 is limited by RDS(on). )
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
s
5 7 100
1.0
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16521
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16511
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16512
No.8935-4/7
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